存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

这些数字基于非官方信息，存储据DRAMeXchange数据，比算飙升仅比Kurnal的力贵估算高出3%，据分析机构Kurnal Insights的单位电最新调研显示，已明显超过N2晶圆名义上的面积0.424美元/mm²。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。价值m晶而DRAM的反超数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，DRAM内存芯片的台积单位面积价值已创下历史新高。

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，存储N2工艺的比算飙升晶圆价格明显更高，且未计入不可用的力贵晶圆边缘、

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的单位电数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的面积当日均价为24.80美元，折合1.55美元/Gb。价值m晶再乘以不同世代的反超位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，折合约0.424美元/mm²。折合约0.283美元/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。受全球AI产业对存储容量的极度渴求，切割损耗、Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，

数据表明，

需要说明的是，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，缺陷与良率等因素，对应价值高达0.654美元/mm²，

9月23日消息，

值得一提的是，只能视作名义上的晶圆面积单价，而非可用硅片的实际成本。

具体来看，

而DRAM的算法则完全不同，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，对应0.410美元/mm²。对应价值0.329美元/mm²。

按此价格计算，约为3万美元（约21.3万元人民币），测试结构、目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，