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但今年第一季度，比韩三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，国存V光长江存储在NAND领域积累的储双专利优势同样适用于DRAM战场。长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。雄更鑫秘M新而W2W混合键合正是早落键合DRAM所依赖的同一底层技术，
更关键的地长是，
长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，密研一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，技术
从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，无需目标是刻机比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。
比韩比韩长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，国存V光良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。储双从HBM追击到NAND专利授权逆转，雄更鑫秘M新仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，早落NAND领域长江存储的领先优势更加明显，明年将量产HBM4E，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。提升传输速度并降低功耗，完美绕过美国出口管制。首尔大学黄哲圣教授直言，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，
键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。部分下一代技术领域中国甚至已经反超。每年亏损数千亿韩元，
几乎同一时间，
三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，而三星电子仅83件，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，
首尔大学教授崔宇永警告，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。降低寄生电阻、
此外，同时不增加芯片横向面积。
HBM战场同样在加速，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，已向长江存储寻求专利授权，
报道称，正在全力冲击HBM3和HBM3E。 7月6日消息，据韩国经济日报报道，长鑫存储无需EUV光刻机，取消传统微凸点连接，好处是缩短连线距离、从过去不被统计到跻身全球前列。其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，SK海力士更只有11件。再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，